コンデンサバンク設計 & 無効電力補償

IEEE 18-2012 · IEC 60871-1 · IEEE C37.012 · IEEE 519-2014

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クイックプリセット
システムパラメータ
共振チェックに必要
任意 — IEC 60871-1 §10に影響
バンク構成
設計結果
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⚡ IEEE 18-2012 §5: Q_c = P × (tan φ₁ − tan φ₂)  |  IEC 60871-1 §10: continuous I ≤ 1.30 × I_n
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計算方法
FormulaStandardDescription
Q_c = P·(tan φ₁ − tan φ₂)IEEE 18-2012 §5Required reactive compensation
C = Q / (2π f V²)IEEE 18-2012 §4.3Capacitance per phase
V_rated ≥ 1.10 × V_sysIEC 60871-1 §5.2Voltage rating uplift for harmonics
I_cont ≤ 1.30 × I_nIEC 60871-1 §10.2Continuous overcurrent overload limit
h_r = √(S_sc / Q_cap)IEEE 519-2014Parallel resonance harmonic order
I_inrush = V_LN · √(C/L_sys)IEEE C37.012 §5Isolated bank inrush current peak
ΔV% ≈ Q·X_sys / V²IEEE 1036 §7.2Voltage rise at PCC
関連ツール
短絡計算（IEEE C37） 高調波（IEEE 519） BESSグリッド接続 無効電力要件
よくある質問
IEEE 18-2012の要件は？
IEEE 18-2012 §5: Q_c = P × (tan φ₁ − tan φ₂)。1.10×電圧、1.30×電流、1.35×無効電力での連続運転。
定格電圧を高くする理由は？
高調波と一時過電圧によりコンデンサ電圧が定格を超える。IEC 60871-1 §5.2: 定格電圧 ≥ 1.10× システム電圧。
共振チェック方法は？
h_r = √(Ssc / Q_cap [MVAr])。h_rが5次、7次、11次、13次の±0.5以内なら共振リスク。
ディチューンリアクトルは？
ディチューンリアクトルはh_rが特性高調波に近い場合に必要。4.7%/5.67%/7%のいずれかを選択。
単独対バック・ツー・バック？
バック・ツー・バック突入電流は単独の2-3倍。直列リアクトルがほぼ必須。
IEC 60871-1 §10の制限は？
IEC 60871-1 §10: (a) ≤ 1.30× I_n; (b) ≤ 1.10× U_n連続; (c) ≤ 1.15× U_n 30分; (d) ≤ 1.35× Q_n。
よくある質問
IEEE 18-2012の要件は？
IEEE 18-2012 §5: Q_c = P × (tan φ₁ − tan φ₂)。1.10×電圧、1.30×電流、1.35×無効電力での連続運転。
定格電圧を高くする理由は？
高調波と一時過電圧によりコンデンサ電圧が定格を超える。IEC 60871-1 §5.2: 定格電圧 ≥ 1.10× システム電圧。
共振チェック方法は？
h_r = √(Ssc / Q_cap [MVAr])。h_rが5次、7次、11次、13次の±0.5以内なら共振リスク。
ディチューンリアクトルは？
ディチューンリアクトルはh_rが特性高調波に近い場合に必要。4.7%/5.67%/7%のいずれかを選択。
単独対バック・ツー・バック？
バック・ツー・バック突入電流は単独の2-3倍。直列リアクトルがほぼ必須。
IEC 60871-1 §10の制限は？
IEC 60871-1 §10: (a) ≤ 1.30× I_n; (b) ≤ 1.10× U_n連続; (c) ≤ 1.15× U_n 30分; (d) ≤ 1.35× Q_n。